Как изменить тайминги оперативной памяти в биосе. Настройка таймингов. Уменьшаем в BIOS задержку CAS
Вопрос о том, как в БИОСе выставить частоту оперативной памяти (ОЗУ), может заинтересовать многих пользователей. Разумеется, в большинстве случаев процедура ручной установки данного параметра оперативной памяти не требуется, поскольку BIOS автоматически подбирает необходимую частоту ОЗУ, исходя из номинальных значений модулей памяти. Однако может возникнуть такая ситуация, когда пользователю необходимо будет выставить значение частоты оперативной памяти, отличающееся от номинального. В этом пользователю могут помочь некоторые опции, доступные в BIOS.
Данное действие может потребоваться, например, в рамках мероприятий по разгону оперативной памяти. Большая частота оперативной памяти обычно позволяет обеспечить ее повышенную производительность, что, в свою очередь, может положительно влиять и на производительность всего компьютера. Однако следует помнить, что для того, чтобы добиться стабильной работы оперативной памяти, наряду с ее частотой может потребоваться одновременно настроить и другие параметры модулей ОЗУ, такие, как напряжение и тайминги.
Параметры частоты оперативной памяти компьютера можно настроить лишь при помощи соответствующих опций BIOS. Нужно иметь в виду, однако, что далеко не все системные платы позволяют изменить данный параметр оперативной памяти. Если в вашем распоряжении оказался компьютер с подобной материнской платой, то вы не сможете выставить нужную вам частоту, а в качестве ее значения будет использоваться номинальная величина для модуля ОЗУ.
Как в BIOS установить частоту ОЗУ?
Для этого необходимо, прежде всего, войти в BIOS. Это можно осуществить во время перезагрузки компьютера, нажав на клавиатуре в момент перезапуска клавишу Del или другую клавишу, в зависимости от версии BIOS. Подробнее о том, как войти в BIOS, мы рассказывали в соответствующей статье.
Итак, вы вошли в BIOS. Какую именно опцию и в каком разделе необходимо искать? Это тоже зависит от версии BIOS. Например, в BIOS от AMI необходимый раздел может носить название Advanced (Расширенные настройки). Довольно часто опция носит название Memory Frequency (Частота памяти), Memory Clock или Dram Clock. В общем случае надо искать опцию, имеющую в своем названии, с одной стороны, слова Memory, Mem, DRAM или SDRAM, а с другой стороны, слова Frequency или Clock.
Частоту памяти в БИОСе можно выставить двумя основными способами: при помощи прямого указания значения и при помощи указания соотношения между частотой системной шины и частотой шины памяти. В последнем случае в названии опции обычно встречается слово Ratio (соотношение). Например, подобная опция может носить название System/Memory Frequency Ratio.
Также помимо возможности выбора непосредственных значений в опции может присутствовать возможность выбора значения Auto (By SPD). Это значение обычно установлено в опции по умолчанию. Оно подразумевает, что BIOS использует номинальные частоты оперативной памяти, которые, как правило, берутся из специальной микросхемы SPD, присутствующей на каждом модуле ОЗУ.
Установив необходимое значение частоты, вам будет необходимо перезагрузить компьютер, сохранив при этом сделанные в BIOS изменения. В некоторых случаях может потребоваться несколько попыток установки частоты оперативной памяти, которые необходимо повторять до тех пор, пока не будет найдено оптимальное значение, при котором работа ПК будет устойчивой. В частности, в Windows 7 пользователь может использовать для проверки работы ОЗУ встроенную утилиту «Проверка памяти Windows», находящуюся в разделе «Администрирование» «Панели управления».
Следует помнить, что не рекомендуется устанавливать значения частоты опции, намного превышающие номинальные значения для микросхем памяти, поскольку в этом случае возможен выход из строя модулей памяти. Кроме того, нужно иметь в виду, что повышение рабочей частоты может привести к повышению тепловыделения микросхем ОЗУ, что, в свою очередь, может повлечь за собой необходимость дополнительного охлаждения системного блока.
Заключение
Не зря иногда называют «мозгами» ПК, поскольку от ее функциональности, объема и скорости во многом зависит вычислительная мощь компьютера. Однако далеко не всегда пользователь может позволить себе установить самую быструю (а это в большинстве случаев означает – и самую дорогую) оперативную память. Поэтому в таких ситуациях, когда требуется максимальное использование возможностей ПК, на помощь может придти разгон оперативной памяти, который осуществляется посредством установки значений частоты в специально предназначенных для этой цели опциях BIOS. В большинстве случаев процесс установки необходимых значений чрезвычайно прост и занимает немного времени. Однако при установке необходимой частоты следует помнить, что выбор заведомо неправильных значений способен вызвать некорректную работу компьютера, зависания операционной системы и даже выход из строя модулей ОЗУ.
По умолчанию все характеристики оперативной памяти компьютера определяются БИОС и Windows полностью автоматически в зависимости от конфигурации оборудования. Но при желании, например, попытке разогнать RAM, есть возможность произвести регулировку параметров самостоятельно в настройках BIOS. К сожалению, сделать это можно не на всех материнских платах, на некоторых старых и простых моделях такой процесс невозможен.
Изменять можно основные характеристики оперативной памяти, то есть тактовую частоту, тайминги и напряжение. Все эти показатели взаимосвязаны. И поэтому к настройке оперативной памяти в БИОС нужно подходить теоретически подготовленным.
Способ 1: Award BIOS
Если на вашей системной плате установлена прошивка от Phoenix/Award, то алгоритм действий будет выглядеть примерно так, как указано ниже. Помните, что названия параметров могут незначительно отличаться.
- Делаем перезагрузку ПК. Входим в БИОС с помощью сервисной клавиши или сочетания клавиш. Они бывают различные в зависимости от модели и версии «железа»: Del , Esc , F2 и так далее.
- Нажимаем комбинацию Ctrl + F1 для входа в расширенные настройки. На открывшейся странице стрелками переходим в пункт «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)» и нажимаем Enter .
- В следующем меню находим параметр «System Memory Multiplier» . Изменяя его множитель, можно уменьшать или увеличивать тактовую частоту работы оперативной памяти. Выбираем чуть больше действующей.
- Можно осторожно увеличить напряжение тока, подаваемого на RAM, но не более чем на 0,15 вольта.
- Возвращаемся на главную страницу БИОС и выбираем параметр «Advanced Chipset Features» .
- Здесь можно настроить тайминги, то есть время отклика устройства. В идеале, чем меньше этот показатель, тем быстрее функционирует оперативная память ПК. Сначала меняем значение «DRAM Timing Selectable» с «Auto» на «Manual» , то есть на режим ручной регулировки. Затем можно поэкспериментировать уменьшая тайминги, но не более чем на единицу единовременно.
- Настройки закончены. Выходим из BIOS с сохранением изменений и запускаем любой специальный тест для проверки стабильности работы системы и RAM, например, в .
- При неудовлетворенности результатами настройки RAM повторите по вышеуказанному алгоритму.
Способ 2: AMI BIOS
Если БИОС на вашем компьютере от American Megatrends, то кардинально значительных отличий от Award не будет. Но на всякий случай вкратце рассмотрим этот случай.
Способ 3: UEFI BIOS
На большинстве современных материнских плат стоит UEFI BIOS с красивым и удобным интерфейсом, поддержкой русского языка и компьютерной мыши. Возможности по настройке RAM в такой прошивке очень широкие. Рассмотрим их подробно.
- Заходим в БИОС, нажав Del или F2 . Реже встречаются другие сервисные клавиши, узнать их можно в документации или из подсказки внизу экрана. Далее переходим в «Advanced Mode» , нажав F7 .
- На странице расширенных настроек переходим на вкладку «Ai Tweaker» , находим параметр «Memory Frequency» и в выпадающем окне выбираем желаемую тактовую частоту оперативной памяти.
- Продвигаясь ниже по меню, видим строку «DRAM Timing Control» и нажав на нее, попадаем в раздел регулировки различных таймингов RAM. ПО умолчанию во всех полях стоит «Auto» , но при желании можно попробовать поставить свои значения времени отклика.
- Возвращаемся в меню «Ai Tweaker» и заходим в «DRAM Driving Control» . Здесь можно попытаться чуть увеличить множители частоты RAM и ускорить её работу. Но делать это надо осознанно и осторожно.
- Опять возвращаемся на прошлую вкладку и далее наблюдаем параметр «DRAM Voltage» , где можно изменять подаваемое на модули оперативной памяти напряжение электрического тока. Повышать вольтаж можно на минимальные значения и поэтапно.
- Затем выходим в окно расширенных настроек и передвигаемся во вкладку «Advanced» . Там посещаем «North Bridge» , страницу северного моста материнской платы.
- Здесь нас интересует строка «Memory Configuration» , на которую и нажимаем.
- В следующем окне можно изменить параметры конфигурации модулей оперативной памяти, установленных в ПК. Например, включить или выключить контроль и коррекцию ошибок (ECC) RAM, определить режим чередования банков оперативной памяти и так далее.
- Закончив настройки, сохраняем внесенные изменения, покидаем BIOS и загрузив систему, проверяем работу RAM в любом специализированном тесте. Делаем выводы, исправляем ошибки повторной регулировкой параметров.
Как вы увидели, настройка оперативной памяти в БИОС вполне возможна для опытного пользователя. В принципе, в случае ваших некорректных действий на этом направлении компьютер просто не включится или прошивка сама сбросит ошибочные значения. Но осторожность и чувство меры не помешает. И помните, что износ модулей RAM при увеличенных показателях соответственно ускоряется.
Как изменить частоту оперативной памяти?
Ответ мастера:
Настройка оперативной памяти, позволяет повысить производительность компьютера, увеличив скорость его работы на 10-20%.
Добиться увеличения частоты оперативной памяти можно двумя способами: изменив её множитель или частоту системной шины. Второй вариант наиболее безопасен для устройства, так как он не дает резких скачков, а позволяет постепенно наращивать производительность. Итак, скачиваем, устанавливаем и запускаем утилиту Speccy. В меню «Оперативная память» отображается текущая частота работы платы. Далее, перезагружаем компьютер. Открыв BIOS, нажимаем клавишу Del и переходим в меню Advanced, в нем нам необходимо найти пункт FSB/Memory Ratio, хотя в зависимости от модели материнской платы, он может иметь и другое название. Установленным параметром для этого пункта будет являться Auto, заменяем его на Manual, это даст возможность задавать свои значения частоты и множителя. Теперь поднимите частоту шины оперативной памяти на 20-50 Герц.
В главном окне меню BIOS находим пункт Save & Exit, нажимаем и ждем, когда компьютер выполнит перезагрузку. Теперь проверяем, на сколько стабильна работа оперативной памяти. Для этого: нажимаем «Пуск», затем «Панель управления». В меню «Система и безопасность» переходим на «Администрирование» и запускаем «Проверка памяти Windows». Соответственно подтверждаем выполнение перезагрузки, необходимой для этой проверки. В случае хороших результатов, повторяем все заново, т.е. заходим в меню BIOS и еще раз увеличиваем частоту оперативной памяти. Делать это необходимо до тех пор, пока система проверки не покажет ошибку. После этого поочередно снижаем показатели четырех видов таймингов на один пункт. Найти их можно в Advanced Settings.
Если же вдруг, произошел сбой, и компьютер перестал загружаться, просто извлеките из него BOIS-батарейку на какое-то время, этим Вы восстановите заводские настройки.
Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, - оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5-10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы - почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.
Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.
Итак, оперативная память - это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.
Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:
- Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
- Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
- Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
- При чтении данных - зарядов конденсаторов - их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
- Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция - Refresh - выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.
На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги - временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.
Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.
Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:
CAS Latency (CL) - пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).
RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.
RAS Precharge (tRP) - время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.
Row Active Time (tRAS) - временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.
Command Rate 1/2T (CR) - время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T - за два.
Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) - время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.
DRAM Idle Timer - время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.
Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое - величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.
Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.
| Тип памяти | Рейтинг | Реальная частота работы памяти, МГц |
Эффективная частота работы памяти (DDR, Double Data Rate), МГц |
| DDR | PC 2100 | 133 | 266 |
| PC 2700 | 167 | 333 | |
| PC 3200 | 200 | 400 | |
| ЗС 3500 | 217 | 434 | |
| PC 4000 | 250 | 500 | |
| PC 4300 | 266 | 533 | |
| DDR2 | PC2 4300 | 266 | 533 |
| PC2 5400 | 333 | 667 | |
| PC2 6400 | 400 | 800 | |
| PC2 8000 | 500 | 1000 | |
| PC2 8500 | 533 | 1066 | |
| PC2 9600 | 600 | 1200 | |
| PC2 10 400 | 650 | 1300 | |
| DDR3 | PC3 8500 | 533 | 1066 |
| PC3 10 600 | 617,5 | 1333 | |
| PC3 11 000 | 687,5 | 1375 | |
| PC3 12 800 | 800 | 1600 | |
| PC3 13 000 | 812,5 | 1625 | |
| PC3 14 400 | 900 | 1800 | |
| PC3 15 000 | 933 | 1866 | |
| Отметим, что числовое обозначение рейтинга в данном случае согласно спецификациям JEDEC указывает на скорость в миллионах передач в секунду через один вывод данных. Что касается быстродействия и условных обозначений, то вместо эффективной частоты работы правильнее говорить, что скорость передачи данных в два раза больше тактовой частоты модуля (данные передаются по двум фронтам сигналов тактового генератора). |
|||
Основные тайминги памяти
Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK - тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND - команды, поступающие на ячейки памяти; READ - операция чтения; NOP - команды отсутствуют; PRE - подзарядка конденсаторов - ячеек памяти; ACT - операция активации строки; ADDRESS - адресация данных к банкам памяти; DQS - шина данных (Data Strobe); DQ - шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL - CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n - считывание данных со строки n. Один такт - временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.
 |
Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).
Основы разгона оперативной памяти
Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR - Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 - Micron D9xxx; DDR3 - Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.
Пожалуй, первый шаг, который делают новички, - повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2-667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.
Следующий шаг - подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа - MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.
 |
|
Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM.
|
На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10-20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2-2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3-2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей - даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.
Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.
Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10-15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК - почему бы и нет?
ЕРР и XMP - разгон ОЗУ для ленивых
Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.
В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP - расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР - сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).
| Параметр | Возможные значения для ЕРР | Поддерживается | ||
| JEDEC SPD | Сокращенный профиль ЕРР | Полный профиль ЕРР | ||
| CAS Latency | 2, 3, 4, 5, 6 | Да | Да | Да |
| Minimum Cycle time at Supported CAS | JEDEC + 1,875 нс (DDR2-1066) | Да | Да | Да |
| Minimum RAS to CAS Delay (tRCD) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Row Precharge Time (tRP) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Active to Precharge Time (tRAS) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Write Recovery Time (tWR) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Active to Active/Refresh Time (tRC) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Voltage Level | 1,8-2,5 В | - | Да | Да |
| Address Command Rate | 1Т, 2Т | - | Да | Да |
| Address Drive Strenght | 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х | - | - | Да |
| Chip Select Drive Strenght | 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х | - | - | Да |
| Clock Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| Data Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| DQS Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| Address/ Command Fine Delay | 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK | - | - | Да |
| Address/ Command Setup Time | 1/2, 1 MEMCLK | - | - | Да |
| Chip Select Delay | 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK | - | - | Да |
| Chip Select Setup Time | 1/2, 1 MEMCLK | - | - | Да |
| * Диапазон значений соответствует требованиям, определенным JEDEC для модулей DDR2 | ||||
| Расширенные профили ЕРР позволяют автоматически управлять ощутимо большим количеством задержек модулей стандарта DDR2, чем базовый набор, сертифицированный JEDEC. | ||||
Дальнейшее развитие данной темы - концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.
Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути - будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.
Итоги
В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала - объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.
Тонкая настройка работы модулей - дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) - это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.
Дальше - тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру - высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!
Как изменить тайминг памяти?
Ответ мастера:
Если вы хотите повысить производительность оперативной памяти, не устанавливая при этом новые планки ОЗУ, то стоит просто уменьшить тайминги уже существующих. Проделывать такую операцию следует очень аккуратно, ведь можно повредить устройства компьютера.
Вначале нужно провести проверку установленных планок памяти. В ОС Windows Seven есть встроенная программа для осуществления такого процесса. Значит, нужно открыть панель управления и там выбрать пункт «Система и безопасность». Там выберите вкладку «Администрирование», затем пункт «Средство проверки памяти Windows». Там нужно выбрать параметр «Выполнить перезагрузку и проверку памяти».
Теперь перезагрузите компьютер и нажмите Delete, чтобы открыть меню BIOS. Нажмите комбинацию Ctrl и F1 для того, чтобы открылось меню дополнительных параметров работы ПК. Там выберите вкладку Advanced. Теперь посмотрите на данные, которые расположены под строкой Memory Frequency. Там вы увидите пункты CAS Latеncy, RAS Prеcharge dеlay, RАS to СAS Delаy и Аctive Prеchаrge Dеlay.
Здесь нужно уменьшать тайминги. Делать это требуется очень аккуратно, постоянно изменять параметр только на минимальную «единицу». Начинайте с первого пункта CAS Latency. Там это нужно уменьшить на 0,5. Затем вернитесь в меню BIOS. Там выберите Save & Exit и нажмите Enter. После того как компьютер перезагрузится, то снова войдите в меню тестирования оперативной памяти.
Если же программа показала, что показатели улучшились, то продолжайте дальше уменьшать тайминги, изменяя значение следующего пункта - RAS Prеcharge dеlay. Чтобы не пришлось постоянно перезагружать ваш компьютер при проверке памяти, можно воспользоваться специальными программами.
Можно установить утилиту Riva Tuner либо memtest. С их помощью вы сможете выполнять проверку стабильности и производительности вашей оперативной памяти. Riva Tuner еще и обладает такой функцией, как уменьшение таймингов. Обратите внимание, что выполнять такой процесс рекомендуют именно через BIOS, ведь если произойдет какой-то сбой, то вы сможете быстро восстановить заводские параметры.
Статьи по теме
